Infineon Technologies présente une nouvelle génération d'IGBT de 1200 V TRENCHSTOP ™ IGBT6. Fabriquée sur une tranche de 12 pouces, la nouvelle technologie IGBT est conçue pour répondre aux exigences croissantes des clients en matière de rendement élevé et de densité de puissance élevée. Il a été optimisé pour une utilisation dans des topologies de commutation dure et résonnantes fonctionnant à des fréquences de commutation de 15 kHz à 40 kHz, destiné à être utilisé dans des applications telles que l'alimentation sans coupure (UPS), les onduleurs solaires, les chargeurs de batterie et le stockage d'énergie.
Le 1200V TRENCHSTOP IGBT6 est disponible en deux familles, la série S6 présente le meilleur compromis entre une faible tension de saturation de V CE (sat) de 1,85V et de faibles pertes de commutation. La série H6 est optimisée pour de faibles pertes de commutation. Les tests d'application confirment que le remplacement du prédécesseur Highspeed3 IGBT par la nouvelle série IGBT6 S6 améliore l'efficacité de 0,2%. Le coefficient de température positif permet une mise en parallèle facile et fiable des appareils, ainsi qu'une bonne contrôlabilité Rg permet d'ajuster la vitesse de commutation de l'IGBT en fonction des besoins de l'application.
Actuellement, les familles IGBT6 sont en production en série. Le portefeuille de produits comprend 15A et 40A co-emballés avec une diode de roue libre de demi-puissance ou de pleine puissance dans un boîtier TO-247-3. Une densité de courant pour un IGBT discret est fournie par la variante 75 A co-emballée avec une diode de roue libre 75 A dans un boîtier TO-247PLUS 3 broches ou 4 broches.