MACOM et STMicrocontrollers ont annoncé aujourd'hui étendre la prise en charge de la technologie 5G de pointe en accélérant la technologie GaN-on-Silicon. Ils ont annoncé qu'ils augmenteraient la capacité de production de 150 mm de GaN-sur-silicium dans les usines de ST et de 200 mm selon la demande. En gardant à l'esprit les principaux OEM de stations de base, il desservira également le développement mondial des télécommunications 5G. Cet accord de large technologie GaN-on-Silicon entre MACOM et ST a été annoncé début 2018.
On s'attend à ce qu'il y ait une demande de produits RF Power avec le déploiement mondial des réseaux 5G et le passage à des configurations d'antenne Massive MIMO (m-MIMO). Selon MACOM, le nombre d'amplificateurs de puissance requis sera de 32X à 64X. Il est également indiqué qu'il y aura une diminution de 10X à 20X du coût par amplificateur et du contenu triple dollar au cours d'un cycle de 5 ans d'investissement dans l'infrastructure 5G. STMicroelectronics va de l'avant avec RF GaN-on-Silicon qui aidera les OEM à construire une nouvelle génération de réseaux 5G hautes performances.
Avec l'investissement conjoint de ces deux entreprises, il est prévu qu'il sera desservi jusqu'à 85% de la construction du réseau mondial. De plus, l'investissement conjoint débloquera le goulot d'étranglement du secteur et répondra à la demande de développement de la 5G, car le GaN-sur-silicium fournit les performances RF, l'échelle et les structures de coûts commerciales nécessaires pour faire de la 5G une réalité.