En août, Toshiba démarre la production en série et les expéditions de ses MOSFET de puissance à canal N de 40 V - « TPWR7904PB » et « TPW1R104PB », pour les applications automobiles. Ils seront disponibles dans des boîtiers DSOP Advance (WF) avec refroidissement double face, faible résistance et petite taille.
Les MOSFET de puissance assurent une dissipation thermique élevée et des caractéristiques de faible résistance à l'état passant en montant une puce de la série U-MOS IX-H, fournie avec la dernière structure de tranchée, dans un boîtier DSOP Advance (WF). Il permet de dissiper efficacement la chaleur générée par la perte par conduction, améliorant ainsi la flexibilité de la conception thermique.
Les MOSFET de la série U-MOS IX-H fournissent également un bruit de commutation plus faible que la précédente série U-MOS IV de Toshiba, contribuant ainsi à réduire les EMI. Le package DSOP Advance (WF) a une structure terminale de flanc mouillable.
Les appareils sont qualifiés pour AEC-Q101, donc adaptés aux applications automobiles; et comprennent des caractéristiques telles qu'un ensemble de refroidissement double face avec plaque supérieure et drain, une visibilité AOI améliorée grâce à une structure de flanc mouillable et des caractéristiques de faible résistance à l'état passant et de faible bruit. Ils peuvent être utilisés dans des applications automobiles telles que la direction assistée électrique, les interrupteurs de charge et les pompes électriques.
Spécifications principales (@T a = 25 ℃)
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Numéro d'article |
Notes maximales absolues |
Drain-source Résistance ON R DS (ON) max (mΩ) |
Diode Zener intégrée entre Gate-Source |
Séries |
Paquet |
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Tension de vidange V DSS (V) |
Courant de vidange (DC) I D (A) |
@V GS＝ 6V |
@V GS = 10V |
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TPWR7904PB |
40 |
150 |
1,3 |
0,79 |
Non |
U-MOS IX-H |
DSOP Advance (WF) L |
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TPW1R104PB |
120 |
1,96 |
1.14 |
DSOP Advance (WF) M |