Vishay Intertechnology a lancé un nouveau MOSFET Siliconix SiR626DP N-Channel 60V TrenchFET Gen IV avec 6,15 mm X 5,15 mm PowerPAK SO-8 Single Package. Le Vishay Siliconix SiR626DP offre une résistance à l'état passant 36% inférieure à celle de sa version précédente. Il combine une résistance maximale jusqu'à 1,7 mW avec une charge de grille ultra faible de 52 nC à 10 V. Il comprend également une charge de sortie de 68nC et un C OSS de 992pF, ce qui est 69% inférieur à ses versions précédentes.
Le SiR626DP a un RDS très FAIBLE (Drain-source on Resistance) qui augmente l'efficacité dans des applications telles que le redressement synchrone, le commutateur primaire et secondaire, les convertisseurs CC / CC, le micro-convertisseur solaire et le commutateur d'entraînement de moteur. Le paquet est du plomb (Pb) et sans halogène avec 100% R G.
Les principales caractéristiques comprennent:
- V DS: 60 V
- V GS: 20 V
- R DS (ON) à 10 V: 0,0017 Ohms
- R DS (ON) à 7,5 V: 0,002 Ohms
- R DS (ON) à 6 V: 0,0026 Ohms
- Q g à 10 V: 68 nC
- Q gs: 21 nC
- Q gd: 8,2 nC
- Je D Max.: 100 A
- P D Max.: 104 W
- V GS (th): 2 V
- Type R g.: 0,91 Ohms
Des échantillons du SiR626DP sont disponibles et des quantités de production sont disponibles avec des délais de 30 semaines en fonction des situations du marché.