La Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation a présenté le GT20N135SRA, un IGBT discret de 1350 V pour cuiseur IH de table, cuiseurs à riz IH, fours à micro-ondes et autres appareils ménagers utilisant des circuits de résonance de tension. L'IGBT présente une tension de saturation collecteur-émetteur de 1,75 V et une tension directe de diode de 1,8 V, soit environ 10% et 21% de moins, respectivement, que pour le produit actuel.
L'IGBT et la diode ont tous deux des caractéristiques de perte de conduction améliorées à haute température (T C = 100 ℃), et le nouvel IGBT peut aider à réduire la consommation d'énergie de l'équipement. Il présente également une résistance thermique jonction-boîtier de 0,48 ℃ / W environ 26% inférieure à celle des produits actuels permettant des conceptions thermiques plus faciles.
Caractéristiques du GT20N135SRA IGBT
- Faible perte de conduction:
VCE (sat) = 1,6 V (typ.) (@ IC = 20 A, VGE = 15 V, Ta = 25 ℃)
VF = 1,75 V (typ.) (@ IF = 20 A, VGE = 0 V, Ta = 25 ℃)
- Faible résistance thermique jonction-boîtier: Rth (jC) = 0,48 ℃ / W (max)
- Supprime le courant de court-circuit qui traverse le condensateur de résonance lorsque l'équipement est allumé.
- La vaste zone de travail sécurisée
Le nouvel IGBT peut supprimer le courant de court-circuit qui traverse le condensateur de résonance lorsque l'équipement est allumé. La valeur de crête du courant de son circuit est de 129A, soit une réduction d'environ 31% par rapport au produit actuel. Le GT20N135SRA facilite la conception de l'équipement par rapport aux autres produits similaires disponibles aujourd'hui car sa zone de fonctionnement sûre est élargie. Pour plus d'informations sur le GT20N135SRA, visitez le site Web officiel de Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation.