Dans le but d'augmenter la densité de puissance et l'efficacité dans divers circuits d'alimentation, Vishay Intertechnology a présenté son nouveau MOSFET 60V à double canal n SiSF20DN à drain commun. Ce circuit intégré est livré dans un boîtier PowerPAK compact 1212-8SCD thermiquement amélioré. La société affirme que son appareil est conçu pour fournir des R s-s (ON) jusqu'à 10 m Ω à 10 volts avec une empreinte de 3 mm sur 3 mm. L'application ciblée de ce circuit intégré permet d' augmenter la densité de puissance et l'efficacité des systèmes de gestion de batterie, des chargeurs enfichables et sans fil, des convertisseurs CC / CC, des chargeurs sans puissance, etc.
Caractéristiques du MOSFET à canal N SiSF20DN:
- Configuration de drain commune avec canal N
- Tension de la source de vidange (V DS) = 60 V
- Tension de source de porte (V GS) = 20 V
- Résistance de la source de vidange (R DS) = 0,0065 à 10 V
- Puissance de sortie maximale (P D max) = 69,4 W
- Courant de vidange maximal (I D) = 52A
- Très faible résistance source à source
- Boîtier compact et thermiquement amélioré
- Optimise la disposition du circuit pour un flux de courant bidirectionnel
- Testé à 100% Rg et UIS
Pour économiser de l'espace sur les circuits imprimés, réduire le nombre de composants et simplifier les conceptions, le dispositif utilise une construction de boîtier optimisée avec deux MOSFET à canal N TrenchFET Gen IV monolithiquement intégrés dans une configuration de drain commune. En raison de la conception des contacts de source SiSF20DN, il y a une augmentation de sa surface de contact avec le PCB et une diminution de la résistivité. Cette conception permet au MOSFET de fonctionner comme une commutation bidirectionnelle dans les systèmes 24 V et les applications industrielles, l'automatisation d'usine, les outils électriques, les drones, les entraînements de moteur, les appareils électroménagers, la robotique, la surveillance de sécurité et les détecteurs de fumée.
Le SiSF20DN est testé à 100% Rg et UIS, conforme RoHS et sans halogène. Des échantillons et des quantités de production du nouveau MOSFET sont maintenant disponibles, avec des délais de 30 semaines pour les commandes plus importantes . Pour plus de détails sur le SiSF20DN, visitez la page officielle ou reportez-vous à la fiche technique de ce produit.